IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET, -40А,-100В 0.06Ом [TO-262]

Пр-во: IR

Структура: p-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -100

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -40

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 ом при-38a, -10в

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200

Крутизна характеристики, S: 10

Корпус: to262